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工艺介绍
Process introduction
STEP1
晶体生长 Crystal Growth

采用CZ法拉制直径100~200mm硅单晶。分N、P两种型号,<111>和<100>两种晶向。N型掺杂剂为磷、砷、锑三种,P型为硼。氧含量可根据用户要求控制。重掺单晶采用GFA测试氧含量,对N型重掺单晶检测硼含量。

STEP2
切片加工 Slicing

采用线切割机将硅单晶棒加工成片状。此工序主要控制硅片厚度和翘曲度。

STEP3
倒角 Edge Grinding

按照用户要求将硅片边缘加工成特定的形状和幅宽。良好的倒角有利于减少外延或器件工艺过程中滑移线的产生。

STEP4
研磨 Lapping

调整硅片厚度,提高厚度均匀性;改善表面平整度,并使损伤层厚度一致,以保证腐蚀片的表面质量和总厚度变化。

STEP5
腐蚀 Etching

消除硅片加工损伤层,并使背面达到一定的光洁度和粗糙度。

STEP6
背面处理 Backside Treatment

背面处理包括软损伤、HEEG、背面多晶等外吸杂技术,以及LTO背面封闭技术。外吸杂广泛用于各种硅片和外延衬底片。背面多晶和背面封闭相结合用于CMOS外延衬底的生产。

STEP7
抛光 Polishing

硅片经化学机械抛光后,可实现无损伤的“镜面”要求。采用本公司特有的高平整度抛光工艺,可生产出用于高档IC用抛光片。

STEP8
清洗 Cleaning

采用全自动硅片清洗机多次兆声清洗,不但保证颗粒和过渡金属从表面彻底去除,而且可将铝、钙、锌、钠等轻金属元素去除。清洗在10级净化环境下进行。颗粒测试采用激光颗粒扫描仪检测;表面金属杂质采用ICP-MS监控。

STEP9
目检 Visual Inspection

在暗房中借助辅助光源,以目视检查的方式找出硅片表面缺陷。

STEP10
硅片特性参数检测 Wafer Characterization

硅片经过抛光与清洗后,使用高精度设备测量resistivity, thickness, TTV, STIR, bow, warpage等硅片特性。

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